碳化硅砖具有高度的共价键结合特性（共价键占有率为90%），故有良好的化学稳定性，同时略次于金刚石的硬度也使其具备了优良的耐磨性，此外碳化硅砖还有较高的高温强度、高热导、低膨胀率和良好的抗热震等性能。
SiC最初被广泛地应用于磨料工业，目前大规模生产碳化硅材料基本上采用电熔解法
SiO2+3c→SiC+2CO—620KJ/mo
目前在耐火材料方面主要有两个领域的应用，一是以碳化硅为基的耐火材料系列：二是作为添加剂改善氧化物耐火材料的性能。作为添加氧化铝基（AL2O3）耐火材料系统中，将改善铝质耐火材料的耐火度、高温强度、热稳定性，尤其是抗热震性能的提高。
碳化硅砖是共价键性极强的化合物，在高温状态下仍可以保持高的键合强度，强度降低不明显，高温变形小，且导热性好，热膨胀系数小，热震稳定性好。由此，碳化硅材料被认为是一种很优异的高温结构材料和耐火材料。但是，碳化硅砖是一种非氧化物材料，在高温、氧化条件下，不可避免的带来氧化问题
虽然SiC的氧化产物，SiO2保护膜，可以阻止氧化的进一步发生但是约在800℃—1140℃SiO2膜会因相变而产生体积变化，从而使其结构变得疏松，氧化保护作用骤减：另外，在一定条件下，SiO2保护膜还无法形成。这都将导致碳化硅材料的使用性能降低，影响它的使用寿命。
碳化硅砖在普通条件下（如大气1000℃-2000℃）具有较好的抗氧化性能，这是由于在高温条件下，碳化硅材料表面形成了一层非常薄的、致密的、与基体集合牢固的SiO2膜，氧在SiO2氧化膜中的扩散系数非常小，因此碳化硅材料的氧化非常缓慢。碳化硅材料在这种富氧条件下的缓慢氧化称为惰性氧化。但在某些条件下，如在足够高的温度下或较低的氧分压下，SiC转化为挥发性的SiO2保护膜被环境腐蚀，这将导致碳化硅材料被快速氧化，即产生活性氧化。而碳化硅材料在使用过程中经常会遇到这种环境。